悬浮活性硅膜厚度测量，适用于MEMS微机电系统应用，光斑尺寸为25um。简介硅基底的传感器因其高性能、低成本和小尺寸而广泛应用于不同的MEMS微机电系统。悬浮在图案上的硅膜或基于SOI的传感器上的活性硅层的厚度对于控制终平台的性能至关重要[1]。在这里，我们已经在一个MEMS微机电系统压力传感器上测量了硅薄膜厚度，使用的是孔径为250μm的FR-μProbe，该工具安装在一个徕卡分模光学显微镜上。使用10倍物镜进行测量，该物镜与选定的孔径大小一起对应于25μm的光斑大小(测量...

悬浮活性硅膜厚度测量，适用于MEMS微机电系统应用，光斑尺寸为25um。简介硅基底的传感器因其高性能、低成本和小尺寸而广泛应用于不同的MEMS微机电系统。悬浮在图案上的硅膜或基于SOI的传感器上的活性硅层的厚度对于控制终平台的性能至关重要[1]。在这里，我们已经在一个MEMS微机电系统压力传感器上测量了硅薄膜厚度，使用的是孔径为250μm的FR-μProbe，该工具安装在一个徕卡分模光学显微镜上。使用10倍物镜进行测量，该物镜与选定的孔径大小一起对应于25μm的光斑大小(测量...

旋涂曲线（spincurve）是光刻胶重要参数之一，他给我们选择光刻胶提供了重要的指导意义。所以我们来介绍一下什么是旋涂曲线？怎样使用旋涂曲线？如何获得旋涂曲线？什么是光刻胶旋涂曲线？顾名思义，光刻胶旋涂曲线就是在旋涂工艺下，光刻胶的厚度与匀胶转速的关系曲线。一般来说，某一固定固含量的光刻胶在相同的匀胶条件下都会有一个相对稳定的膜厚值。这个厚度随着匀胶转速的提高而降低。下图是一个典型的光刻胶旋涂曲线：影响光刻胶旋涂曲线的因素主要有：光刻胶种类和固含量：一般来说，固含量越大，相...

纳米制造使用光刻工艺(193nm，EUV，EBL等)涉及广泛的材料、技术和相关的处理步骤，以便生产明确的纳米结构。光刻胶的光刻对比曲线是工艺优化常用的参数之一。光致抗蚀剂的对比度曲线是显影后剩余的抗蚀剂膜厚度，作为对数绘制的曝光剂量的函数[1]。测量方法:在本篇应用案例中，使用EBPG-5000+电子束工具以100千电子伏的速度在不同的曝光剂量下对负性抗蚀剂进行曝光，生成100×100μm正方形的阵列，每个正方形对应不同的曝光剂量。在显影步骤之后，使用FR-μ探针显微光谱仪工...

等离子处理中哪种频率效果好？中频？射频？微波？KHz，中频产生等离子体能量大，主要是物理作用；MHz，射频产生等离子体能量和密度居中,为物理和化学作用；GHz，微波产生等离子体能量小，密度高，主要为化学作用；40kHz、13.56MHz和2.45GHz等离子体激发频率运用：激发频率为40kHz的等离子体即超声等离子体清洗是以物理反应为主的等离子体清洗，也叫做溅射腐蚀（SPE）或离子铣（IM），其优点在于本身不发生化学反应，清洁表面不会留下任何的氧化物，可以保持被清洗物的化学纯...

本篇介绍了使用I101钙钛矿前体油墨的钙钛矿太阳能电池制备过程，该油墨用于底部ITO/PEDOT：PSS阳极和顶部PC70BM/Ca/Al阴极。ITO/PEDOT：PSS/CH3NH3PbI3-xClx/PC70BM/Ca/Al详细步骤如下：1.基板清洁：清洁预图案化的ITO基板。将基板在1％的高温（70°C）中超声处理5分钟。在沸腾的去离子（DI）水中漂洗底物两次（转储冲洗），然后在IPA中进一步超声处理5分钟，后在沸腾的DI水中漂洗两次。使用压缩氮气干燥基材。2.PEDO...

UV固化工艺是光化学反应前沿的应用，通过一定强度的紫外光照射,瞬间固化油墨、涂料、胶等相关化学品。随着科技的发展，UV固化所涉及领域也更加广泛，应用于汽车、电子、通讯、航空航天、金属、玻璃及塑料等制品的制造上。凭籍其对产品品质的提高和优良的环境表现，以每年10%以上的速度替代传统固化工艺。UV照射可硬化材料中的光起始剂吸收紫外线光谱(波长200-400nm)中的某些特殊波长的光而产生断键情形,这些断键的物质再去撞击单体和预聚合体而产生连锁架桥反应,瞬间将此材料从液态变成固态。...